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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

150

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

180

最大漏极电流Id(on)(A)：

20

通道极性（xìng）：

N沟道（dào）

封装/温度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,180mΩ,20A,N沟（gōu）道基于超级结技术的（de）功率MOSFET


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