luck18新利



漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

83

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

99

最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

40

通道极性：

N沟道

封（fēng）装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描（miáo）述：

600V，99mΩ，40A，N沟道基于超级结技术的功率MOSFET



luck18新利

luck18新利