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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

100

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

125

最大漏极电流Id(on)(A)：

30

通（tōng）道（dào）极性（xìng）：

N沟道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

600V,125mΩ,30A,N沟道基于（yú）超级结技术的功率MOSFET


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