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漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

140

最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

25

通道极（jí）性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描（miáo）述：

550V,140mΩ,25A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET



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