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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

20

驱动电压（yā）(V)：

10

通道极性：

N沟道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-247-3/-55~125

描述：

600V,190mΩ,20A,N沟道基（jī）于超级（jí）结技术（shù）的功率MOSFET


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