luck18新利



漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

47

通道极性：

N沟道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

650V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


luck18新利

luck18新利