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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大漏极电流Id(on)(A)：

7

通（tōng）道（dào）极（jí）性：

N沟（gōu）道（dào）

封装（zhuāng）/温度（dù）(℃)：

TO-251-3L/-55~125

描述：

650V,600mΩ,7A,N沟（gōu）道（dào）基于超（chāo）级结技（jì）术的功率MOSFET


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