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漏源（yuán）电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

120

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

140

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

25

通道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述（shù）：

550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET



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