luck18新利



漏源（yuán）电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

47

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述：

600V,70mΩ,47A,N沟道基于（yú）超级结技（jì）术（shù）的（de）功率MOSFET



luck18新利

luck18新利