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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

20

通道极性（xìng）：

N沟道

封装/温（wēn）度（dù）(℃)：

TO-220F-3/-55~125

描述：

600V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET


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