luck18新利



漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

530

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

580

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

8

通道极性（xìng）：

N沟道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

550V,580mΩ,8A,N沟（gōu）道（dào）基于超级结技术（shù）的功率MOSFET


luck18新利

luck18新利