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漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

250

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

280

最大漏极电流Id(on)(A)：

15

通道（dào）极性：

N沟道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,280mΩ,15A,N沟（gōu）道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET


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