luck18新利



漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

7

通道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

PDFN5*6/-55~125

描述（shù）：

650V,600mΩ,7A,N沟道（dào）基（jī）于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


luck18新利

luck18新利