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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导（dǎo）通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

140

最（zuì）大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

25

通道极性：

N沟道（dào）

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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