luck18新利



漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

20

通道极性（xìng）：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

550V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的（de）功（gōng）率MOSFET


luck18新利

luck18新利