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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最（zuì）大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

20

驱动电（diàn）压(V)：

10

通（tōng）道极性：

N沟道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结（jié）技术的功（gōng）率（lǜ）MOSFET


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