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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

700

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

850

最大漏极电流Id(on)(A)：

5

通道（dào）极（jí）性：

N沟道（dào）

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-251-3L(IPAK)/-55~125

描述：

650V,850mΩ,5A,N沟（gōu）道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET



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