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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

300

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

360

最大（dà）漏（lòu）极（jí）电流Id(on)(A)：

11

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

650V,360mΩ,5A,N沟（gōu）道基（jī）于超级结技术的功（gōng）率MOSFET



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