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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电流Id(on)(A)：

20

驱（qū）动电压(V)：

10

通（tōng）道极性：

N沟（gōu）道

封装（zhuāng）/温（wēn）度(℃)：

TO-247-3/-55~125

描述：

600V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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