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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大漏极电流Id(on)(A)：

47

通（tōng）道极性：

N沟道（dào）

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述（shù）：

650V,70mΩ,47A,N沟（gōu）道基于超级结技术（shù）的功率MOSFET


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