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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

700

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

900

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

1100

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

5

通道极（jí）性：

N沟道（dào）

封装/温度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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