luck18新利



漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

47

通道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

600V,70mΩ,47A,N沟道（dào）基于超级结技（jì）术的（de）功率MOSFET


luck18新利

luck18新利