luck18新利



漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

7

通道极（jí）性：

N沟道

封（fēng）装/温度（dù）(℃)：

SOT-223-2L/-55~125

描（miáo）述（shù）：

650V,600mΩ,7A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET


luck18新利

luck18新利