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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电流Id(on)(A)：

20

通道（dào）极性：

N沟道

封装/温（wēn）度（dù）(℃)：

TO-252-3L/-55~125

描述：

650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET



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