luck18新利



漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

120

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

150

最大漏极（jí）电流（liú）Id(on)(A)：

24

驱动电压（yā）(V)：

10

通道极性：

N沟（gōu）道（dào）

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-220F-3/-55~125

描述：

600V,150mΩ,24A,N沟（gōu）道基于超（chāo）级结技术的功率（lǜ）MOSFET



luck18新利

luck18新利