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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

70

导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

74

最（zuì）大漏极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

47

通道极性：

N沟道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描（miáo）述：

650V,74mΩ,47A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率（lǜ）MOSFET



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