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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

177

导通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

20

通（tōng）道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述（shù）：

650V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基于超级结技（jì）术（shù）的功（gōng）率MOSFET


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