luck18新利



漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大（dà）漏极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

47

通（tōng）道极性（xìng）：

N沟道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结技（jì）术的功率MOSFET



luck18新利

luck18新利