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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

47

通道（dào）极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述：

600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结（jié）技术的功率（lǜ）MOSFET



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