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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

700

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

380

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

430

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

11

通道极性：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描（miáo）述：

700V,430mΩ,11A,N沟道基于超级（jí）结技（jì）术的（de）功率MOSFET


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