luck18新利



漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

850

最大漏（lòu）极电（diàn）流Id(on)(A)：

5

驱动（dòng）电压(V)：

10

通道（dào）极性：

N沟道

封装/温度（dù）(℃)：

DPAK-3/-55~125

描述：

650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技（jì）术的功率MOSFET


luck18新利

luck18新利