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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

380

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

430

最大漏极电（diàn）流（liú）Id(on)(A)：

11

通道（dào）极性：

N沟（gōu）道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

700V,430mΩ,11A,N沟道基于超级结技术（shù）的功率MOSFET


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