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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最（zuì）大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

20

通（tōng）道极性：

N沟（gōu）道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-220F-3/-55~125

描述：

600V,190mΩ,20A,N沟道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET


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