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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

20

通道极（jí）性：

N沟道（dào）

封装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

650V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET



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