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漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

7

通道（dào）极性：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

650V,600mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET



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