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漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

120

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

150

最大漏极电流Id(on)(A)：

24

驱动电压（yā）(V)：

10

通道（dào）极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3/-55~125

描述：

600V,150mΩ,24A,N沟道基于（yú）超级结（jié）技术的功（gōng）率MOSFET


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