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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

530

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

580

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

8

通道（dào）极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

550V,580mΩ,8A,N沟道基（jī）于超（chāo）级结技术的（de）功（gōng）率MOSFET


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