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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

130

最大（dà）漏极（jí）电流Id(on)(A)：

30

通道（dào）极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描（miáo）述（shù）：

600V,130mΩ,30A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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