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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

250

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

280

最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

15

通道极（jí）性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,280mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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