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漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

100

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

125

最（zuì）大（dà）漏极电流（liú）Id(on)(A)：

30

通道极性：

N沟道（dào）

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,125mΩ,30A,N沟道基（jī）于超级结技术的功率MOSFET


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